MAAMRI, SABERABIDI, EL-HADJ2022-03-212022-03-212019http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2270Durant cette recherche, on a utilisé la méthode des ondes planes augmentées linéarisées, qui est basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) pour calculer la propriété électronique du Se-O telle que la densité d’ètat.De plus on a calculé aussi les propriétés optiques concernant α,ℰ1 et ℰ2 . Le calcul est fait en utilisant Le potentiel d’échange et de corrélation dans le cadre de l’approximation du gradient généralisé GGA. Les résultats obtenus de Se-O ont était comparé avec celle du Se pour déterminé les effets de l’oxygène sur le Se. L’oxygène a introduit deux niveaux énergétiques de défauts localisés dans la bande interdite. Les résultats calculés sont expliqués à base de ces défauts.frالسيلنيوم الالبلوري Se-a , السيلنيوم الثالثي Se-t , الحاالت المتموضعة , الحاالت الممتدة , GGA , .FP- LAPW , DFTSélénium amorphe a-Se, Sélénium trigonale t-Se , Les états localisés , Les états étendues , FP-LAPW,GGA,DFT.Amorphous Selenium a-Se , Trigonal Selenium t-Se , Localized states ,Extended states , FP-LAPW,GGA,DFT.Thesis