Systematic study of the even-A Silicon isotopic chain

Abstract

Nous sommes intéressés dans notre travail aux noyaux de la couche sd dont les spectres en énergie contiennent, à basses énergies d'excitation, des états de parité- positive et négative. Les états normaux de parité positive sont bien décrits en utilisant les interactions bien connues (USD et USDA/B) dans l'espace de valence de la couche sd. Les états intrus de parité négative nécessitent l'extension de l'espace de valence à l’espace p-sd-pf complet. Une interaction PSDPF a été construite pour décrire, simultanément, les deux types d'états coexistant dans les noyaux de la couche sd en utilisant une procédure d'ajustement. Comme les états des noyaux du milieu de la couche sd n'ont pas pu être ajustés, en raison de limitations informatiques, nous avons décidé d'étudier un ensemble de ces noyaux, qui sont la chaîne isotopique du silicium. Dans ce travail, nous étudierons systématiquement l'évolution des énergies d'excitation pour les premiers excités états de parité- positive et négative dans la chaîne isotopique du silicium avec A-pair en utilisant l'interaction PSDPF. Une discussion détaillée des résultats obtenus sera présentée.