Modélisation des propriétés électriques du GaAs dopé par implantation ionique

Abstract

Dans ce travail, les propriétés électriques et électroniques du semiconducteur composé l’arséniure de gallium (GaAs), sont étudiées suite à sa performance élevée, ses propriétés semiconductrices uniques et pour son utilisation dans un large domaine de température. Une étude élargie des mécanismes d’activation électrique des différents ions dans le GaAs, a permis d’utiliser un modèle thermodynamique qui prévoit strictement les propriétés électriques après le traitement thermique rapide. Ce travail est basé sur l’étude de la technique de l’implantation ionique, et la simulation des chocs provoqués, la trajectoire des ions, l’énergie des ions réfléchis et la variation des profiles de concentration atomique des différents éléments choisis, et implantés dans le GaAs avec différentes énergies d’insertion et différentes doses de dopages, en utilisant la méthode de Monté Carlo, et les programmes SRIM. L’accord entre les résultats obtenus et les donnés disponibles théoriques et expérimentales est généralement bon.