Simulation de la mobilité des trous dans le sélénium amorphe stabilisé

Abstract

Cette étude vise à déterminer la forme exacte de la distribution de la densité des états localisés dans la moitié inférieur du gap de sélénium amorphe par une simulation délocalisés dans la moitié inférieur du gap de sélénium amorphe par une simulation de la mobilité des trous en fonction de la température et du champ appliqué. L'image de la densité de états est construite, essentiellement, sur la base de la courants transitoires Et en utilisant l'inverse de Laplace par la méthode de padi. Le modèle de densité proposé pour le sélénium amorphe stabilisé nous a permis de simuler les courants de TOF des trous dans ce matériau avec deux concentrations différente. Le dopage du sélénium avec des petites quantités d’arsenic n’affecte pas la Mobilité des trous .Cette étude montre que le dopage avec l’arsenic affecte la Gamme des trous, dans ce travail implique que Le produit μ diminue avec L’ajout de l’arsenic